1. Esikäsittely
- Substraatin puhdistus: ultraääni rasvanpoisto + plasman puhdistus (teho 50-200W).
- Kiinnitys ja paikannus: Varmista, että substraatin ja haihtumislähteen välinen etäisyys on 20-50 cm (vaikuttaa kalvon paksuuden tasaisuuteen).
2. pinnoitusvaihe
-Esimerkki: Esittele argonikaasu (virtausnopeus 10-50SCCM) oksidien poistamiseksi kohteen pinnalla.
- Tärkein talletus:
-Haihdutuspäällyste: nopeus 0,1-10 nm/s (elektronisäteen teho 5-20 kW).
-Magnetronisputterointi: laskeutumisnopeus 0,01-1 μm/min (kaasun paine 0,1-1Pa).
3. Käsittelyn jälkeinen
-hehkutus ja vahvistaminen (200–400 astetta, 1-2 tuntia) kalvon tarttuvuuden parantamiseksi (naarmutesti suurempi tai yhtä suuri kuin 5n).
